1.목적 이 규정은 고객들로부터 재처리 의뢰된 세라믹 부품들에 대해 당초 그 사용 목적에 따라 라인별, 설비별로 구분 하여 당사의 처리공정을 적용 시킴으로서 제품간 혼입을 방지 하는데 있다. 2.용어의 정의 가.세라믹 부품 반도체 확산공정 중 건식식각 설비 장치 내에서 웨이퍼가 전기적으로 중성인 위치에서 식각이 되어지도록 웨이퍼를 절연시킴과 동시에 웨이퍼를 기계적으 로 홀드 시키는 역할을 하는 부품들과 세라믹으로 제조된 그 부속 부품들을 칭한다. 나.금속오염 반도체 프로세스상 건식 식각에는 주로 산화막, 폴리막, 텅스텐박막및 알루미 늄과 그 합금물이 선택적으로 에칭된다. 이런 목적으로 동일메이커에, 동일 종류의 설비라 할지라도 적용 프로세스 상 금속을 에칭하면 금속식각장치, 비금속을 에칭하면 비금속식각장치로 대별되며, 반응 개스들이 금속에는 플 루오린계가, 비금속에는 염소계나 브롬화물이 사용되며 이것이 교차하여 사 용 될때 발생되는 오염을 금속오염이라 한다. 다.금속 식각 주로 알루미늄, 알루미늄의 합금, 티탄 나이트라이드, 텅스텐 등을 염소계 개스나 브롬화계 개스를 사용해서 선택적으로 식각을 하는 공정을 말한다.
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